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热膨胀系数(4.0-6.0)X10-6/℃;多晶AIN热导率达260W/(m.k);比氧化铝高5-8倍;氮化铝陶瓷基板是解决高散热密度问题的一种新型陶瓷基板,最适合半导体芯片安装。
热膨胀系数(4.0-6.0)X10-6/℃;
多晶AIN热导率达260W/(m.k);
比氧化铝高5-8倍;
氮化铝陶瓷基板是解决高散热密度问题的一种新型陶瓷基板,最适合半导体芯片安装。
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